चर्चा में क्यों?

ओडिशा के मुख्यमंत्री मोहन चरण माझी ने भारत के पहले सिलिकॉन कार्बाइड विनिर्माण संयंत्र के उद्घाटन समारोह में भाग लिया, जिसे ओडिशा में 620 करोड़ रुपए के निवेश से स्थापित किया जाना है। सेमीकंडक्टर पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में प्रमुख अभिकर्त्ता RIR पावर इलेक्ट्रॉनिक्स लिमिटेड द्वारा विकसित यह फैसिलिटी भुवनेश्वर के इन्फोवैली में EMC पार्क में स्थित होगी।

सिलिकॉन कार्बाइड (Silicon Carbide- SiC)

• यह सिलिकॉन और कार्बन से बना एक यौगिक है
• इसमें उत्कृष्ट ताप चालकता है, जो इसे उच्च तापमान अनुप्रयोगों के लिये आदर्श बनाती है।
• यह रासायनिक रूप से निष्क्रिय है और अम्ल, क्षार एवं लवण द्वारा संक्षारण के प्रति प्रतिरोधी है
• इसका गलनांक अत्यंत उच्च, लगभग 2,730°C (4,950°F) होता है।
• एचेसन प्रक्रिया: एचेसन प्रक्रिया द्वारा सिलिकॉन कार्बाइड का निर्माण होता है जहाँ सिलिका (SiO₂) और कार्बन (आमतौर पर पेट्रोलियम कोक के रूप में) को विद्युत् भट्टी में उच्च तापमान पर गर्म किया जाता है। इस प्रक्रिया से SiC क्रिस्टल बनते हैं और कार्बन डाइऑक्साइड उप-उत्पाद के रूप में निकलती है
• उपयोग:
  • उच्च तापमान अर्द्धचालक उपकरण जैसे- डायोड, MOSFETs (धातु-ऑक्साइड-अर्द्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर)।
  • अपघर्षक सामग्री जैसे- पीसने वाले पहिये (Grinding Wheel), सैंडपेपर, काटने के उपकरण और बुलेटप्रूफ जैकेट।
  • विद्युत वाहन (Electric Vehicles- EV) और हाइब्रिड वाहन, ऊर्जा रूपांतरण, ऊर्जा दक्षता में सुधार एवं ताप उत्पादन में कमी लाने के लिये।
  • सौर ऊर्जा इनवर्टर, LED और एयरोस्पेस घटक।